KIA28N50HH
IC
TO-3P
可供量大可议
KIA28N50HH
特性：RDS(ON) = 0.16Ω (typ. )@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 改善dv/dt能力。 符合RoHS标准。 应用：LED电源。 手机充电器
品牌
KIA
封装
TO-3P
库存
5
货期
现货
KIA28N50HH参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
KIA28N50HH概述
特性：RDS(ON) = 0.16Ω (typ. )@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 改善dv/dt能力。 符合RoHS标准。 应用：LED电源。 手机充电器
KIA28N50HH特性
暂无产品特性。
KIA28N50HH应用领域
暂无应用领域。