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KDR357-RTK/P
IC

USC

可供量大可议

KDR357-RTK/P

特性:低正向电压:VF(3) = 0.43V(典型值)。 低反向电流:IR = 5μA(最大值)。 小封装:USC

品牌

KEC

封装

USC

库存

2,470

货期

现货

KDR357-RTK/P参数

封装USC
品牌KEC
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存2470

KDR357-RTK/P概述

特性:低正向电压:VF(3) = 0.43V(典型值)。 低反向电流:IR = 5μA(最大值)。 小封装:USC

KDR357-RTK/P特性

暂无产品特性。

KDR357-RTK/P应用领域

暂无应用领域。

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