KCY3406A
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
KCY3406A
是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管， 采用LVMOS技术制造。 改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能。 该器件广泛用于二次同步整流、逆变器系统的电源管理。
品牌
KIA
封装
DFN5x6-8
库存
3,186
货期
现货
KCY3406A参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3186 |
KCY3406A概述
是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管， 采用LVMOS技术制造。 改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能。 该器件广泛用于二次同步整流、逆变器系统的电源管理。
KCY3406A特性
暂无产品特性。
KCY3406A应用领域
暂无应用领域。