KCT1808A
IC
TOLL-8
可供量大可议
KCT1808A
特性：使用先进的SGT技术。 极低的导通电阻RDS(on)， 典型值为1.25mΩ（VGS = 10V时）。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
品牌
KIA
封装
TOLL-8
库存
41
货期
现货
KCT1808A参数
| 封装 | TOLL-8 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 41 |
KCT1808A概述
特性：使用先进的SGT技术。 极低的导通电阻RDS(on)， 典型值为1.25mΩ（VGS = 10V时）。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
KCT1808A特性
暂无产品特性。
KCT1808A应用领域
暂无应用领域。