KBP01G
IC
KBP
可供量大可议
KBP01G
特性：玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度：1500VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值：40A峰值。 适用于印刷电路板应用。 UL认证， 文件编号E94661。 无铅表面处理， 符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
KBP
库存
11
货期
现货
KBP01G参数
| 封装 | KBP |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 整流桥 |
|---|---|
| 库存 | 11 |
KBP01G概述
特性：玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度：1500VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值：40A峰值。 适用于印刷电路板应用。 UL认证， 文件编号E94661。 无铅表面处理， 符合RoHS标准
KBP01G特性
暂无产品特性。
KBP01G应用领域
暂无应用领域。