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K1307-VB
IC

TO-220F-3

可供量大可议

K1307-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道功率MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于多种低功率功率电子应用。 TO220F; N—Channel沟道, 100V; 18A; RDS(ON)=86mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

品牌

VBsemi

封装

TO-220F-3

库存

50

货期

现货

K1307-VB参数

封装TO-220F-3
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存50

K1307-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道功率MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于多种低功率功率电子应用。 TO220F; N—Channel沟道, 100V; 18A; RDS(ON)=86mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

K1307-VB特性

暂无产品特性。

K1307-VB应用领域

暂无应用领域。

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