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JSM80N06D
IC

TO-252

可供量大可议

JSM80N06D

高密度电池设计, 可实现极低的RDS。

品牌

JSMSEMI

封装

TO-252

库存

16,210

货期

现货

JSM80N06D参数

封装TO-252
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存16210

JSM80N06D概述

高密度电池设计, 可实现极低的RDS。

JSM80N06D特性

暂无产品特性。

JSM80N06D应用领域

暂无应用领域。

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