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JSM80N03D
自营可供
IC

TO-252

JSM80N03D

未分类

品牌

JSMSEMI

封装

TO-252

交期

现货

批次

26+

JSM80N03D参数

封装TO-252
品牌JSMSEMI(杰盛微)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@4.5V; 4.2mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)1.614nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)245pF
分类场效应管(MOSFET)
库存7,662
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)46W
栅极电荷量(Qg)33.7nC@10V
反向传输电容(Crss)215pF
类型N沟道

JSM80N03D概述

未分类

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