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JSM2301S
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SOT-23

JSM2301S

场效应管(MOSFET) 350mW 20V 2.3A 1个P沟道

品牌

JSMSEMI

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

JSM2301S参数

封装SOT-23
品牌JSMSEMI(杰盛微)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))135mΩ@4.5V; 185mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)405pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)75pF
商品名称1个P沟道 耐压:20V
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存6,282
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)350mW
栅极电荷量(Qg)5.4nC
反向传输电容(Crss)55pF
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±8V
商品型号JSM2301S
单位个
商品重量3.4e-05

JSM2301S概述

场效应管(MOSFET) 350mW 20V 2.3A 1个P沟道

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