JSM200N10CGH
IC
TO-220
可供量大可议
JSM200N10CGH
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：45A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：15mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-220
库存
969
货期
现货
JSM200N10CGH参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 969 |
JSM200N10CGH概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：45A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：15mR @20A, 10V
JSM200N10CGH特性
暂无产品特性。
JSM200N10CGH应用领域
暂无应用领域。