JSM200N10BGH
IC
TO-263-2
可供量大可议
JSM200N10BGH
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：45A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：15mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-263-2
库存
625
货期
现货
JSM200N10BGH参数
| 封装 | TO-263-2 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 625 |
JSM200N10BGH概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：45A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：15mR @20A, 10V
JSM200N10BGH特性
暂无产品特性。
JSM200N10BGH应用领域
暂无应用领域。