JSM080N10QG5H
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
JSM080N10QG5H
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.1mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
910
货期
现货
JSM080N10QG5H参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 910 |
JSM080N10QG5H概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.1mR @20A, 10V
JSM080N10QG5H特性
暂无产品特性。
JSM080N10QG5H应用领域
暂无应用领域。