JSM055N06QG5L
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
JSM055N06QG5L
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.2mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
4,985
货期
现货
JSM055N06QG5L参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4985 |
JSM055N06QG5L概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4.2mR @20A, 10V
JSM055N06QG5L特性
暂无产品特性。
JSM055N06QG5L应用领域
暂无应用领域。