JSM035N06DGH
IC
TO-252
可供量大可议
JSM035N06DGH
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：185A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.6mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-252
库存
1,948
货期
现货
JSM035N06DGH参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1948 |
JSM035N06DGH概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：185A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.6mR @20A, 10V
JSM035N06DGH特性
暂无产品特性。
JSM035N06DGH应用领域
暂无应用领域。