JSM014N06QG5H
自营可供
IC
PDFN-8L(5x6)
JSM014N06QG5H
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：265A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.1mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
交期
现货
批次
—
JSM014N06QG5H参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 198W |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,000 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 6.99nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 2.75nF |
JSM014N06QG5H概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：265A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.1mR @20A, 10V