JMTQ4407A
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
JMTQ4407A
P沟道增强型功率MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具有低导通电阻和低栅极电荷
品牌
JJW
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
50
货期
现货
JMTQ4407A参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | JJW(捷捷微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | JMTQ4407A |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000138 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 输入电容(Ciss) | 2.252nF |
| 配置 | 独立式 |
| 输出电容(Coss) | 306pF |
| 商品名称 | P沟道增强型功率MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具有低导通电阻和低栅极电荷 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
JMTQ4407A概述
P沟道增强型功率MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具有低导通电阻和低栅极电荷
JMTQ4407A特性
暂无产品特性。
JMTQ4407A应用领域
暂无应用领域。