JMTQ170C04D
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
JMTQ170C04D
特性：N-Channel: 40V, 14A。 RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -4.5V。 P-Channel: -40V, -14A。 RDS(ON) < 50mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ @ VGS = -4.5V。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
JJW
封装
DFN-8(3x3)
库存
5,000
货期
现货
JMTQ170C04D参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | JJW(捷捷微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 7.3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V； 20nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF； 68.5pF |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
| 商品名称 | N沟道和P沟道增强型MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5000 |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V； 38mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V； 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 980pF； 1.034nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 86.2pF； 107pF |
| 商品型号 | JMTQ170C04D |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00011328 |
JMTQ170C04D概述
30N10是高性能沟槽N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 30N10符合RoHS和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备完整的功能可靠性认证。
JMTQ170C04D特性
- N沟道:40V、14A
- 在VGS = -10V时, RDS(ON) < 22mΩ
- 在VGS = -4.5V时, RDS(ON) < 28mΩ
- P沟道:-40V、-14A
- 在VGS = -10V时, RDS(ON) < 50mΩ
- 在VGS = -4.5V时, RDS(ON) < 70mΩ
- 出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关速度
JMTQ170C04D应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理