JMTL400N04A
自营可供
IC
SOT-23(TO-236)
JMTL400N04A
特性：40V， 5A。 RDS(ON) < 39mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 52mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。 应用：负载开关。 PWM应用
品牌
JJW
封装
SOT-23(TO-236)
交期
现货
批次
两年内
JMTL400N04A参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | JJW(捷捷微) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 输入电容(Ciss) | 536pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
| 商品名称 | N沟道增强型功率MOSFET |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.22e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,944 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | JMTL400N04A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
JMTL400N04A概述
特性：40V， 5A。 RDS(ON) < 39mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 52mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。 应用：负载开关。 PWM应用
JMTL400N04A特性
- 40V、5A
- R DS(ON) < 39 mΩ(V GS = 4.5 V时)
- R DS(ON) < 52 mΩ(V GS = 2.5 V时)
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
JMTL400N04A应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理