JMTL3415KL
自营可供
IC
SOT-23
JMTL3415KL
场效应管(MOSFET) 1.1W 20V 4.1A 1个P沟道
品牌
JJW
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
JMTL3415KL参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JJW(捷捷微) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 289pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
| 商品名称 | 耐压:20V 电流:4.1A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 26,640 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| 商品型号 | JMTL3415KL |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.2e-05 |
JMTL3415KL概述
场效应管(MOSFET) 1.1W 20V 4.1A 1个P沟道
JMTL3415KL特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V, 漏极电流(ID) = -4.1 A
- 当栅源电压(VGS) = -4.5 V 时, 导通电阻(RDS(ON)) < 40 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -2.5 V 时, 导通电阻(RDS(ON)) < 56 mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
- 静电放电(ESD)等级:人体模型(HBM)2.0 KV
JMTL3415KL应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理