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JMTK80N06A
IC

TO-252-4R

可供量大可议

JMTK80N06A

场效应管(MOSFET) 108W 60V 80A 1个N沟道

品牌

JJW

封装

TO-252-4R

库存

12,712

货期

现货

JMTK80N06A参数

封装TO-252-4R
品牌JJW(捷捷微)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)4.136nF
工作温度-55℃~+175℃
分类场效应管(MOSFET)
库存12,712
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)108W
栅极电荷量(Qg)90nC
反向传输电容(Crss)257pF

JMTK80N06A概述

场效应管(MOSFET) 108W 60V 80A 1个N沟道

JMTK80N06A特性

暂无产品特性。

JMTK80N06A应用领域

暂无应用领域。

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