JMSL0406AGQ-13
自营可供
IC
PDFN5x6-8L
JMSL0406AGQ-13
特性：超低导通电阻， RDS(ON)。 低栅极电荷， Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
品牌
JJW
封装
PDFN5x6-8L
交期
现货
批次
26+
JMSL0406AGQ-13参数
| 封装 | PDFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | JJW(捷捷微) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 1.204nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 536pF |
| 商品名称 | 40V N沟道功率MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3,009 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | JMSL0406AGQ-13 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00018352 |
JMSL0406AGQ-13概述
特性：超低导通电阻， RDS(ON)。 低栅极电荷， Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
JMSL0406AGQ-13特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷Qg
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合RoHS标准
- 通过AEC-Q101汽车应用认证
JMSL0406AGQ-13应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 消费电子和计算机
- ATX电源
- 工业
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）
- 开关模式电源（SMPS）