JMGE120V09A
IC
TO-263
可供量大可议
JMGE120V09A
特性：85V， 130A。 RDS(ON) < 5.2mΩ @ VGS = 10V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。 应用：负载开关。 PWM应用
品牌
JJW
封装
TO-263
库存
8
货期
现货
JMGE120V09A参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | JJW(捷捷微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
JMGE120V09A概述
特性：85V， 130A。 RDS(ON) < 5.2mΩ @ VGS = 10V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。 应用：负载开关。 PWM应用
JMGE120V09A特性
暂无产品特性。
JMGE120V09A应用领域
暂无应用领域。