JFE2140DSGR
IC
WSON-8-EP(2x2)
可供量大可议
JFE2140DSGR
构建于现代高性能模拟双极工艺, 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能, 静态电流可由用户设置, 范围为50μA至20mA。 当偏置电流为5mA时, 该器件会产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声, 从而以极高的输入阻抗(>1TΩ)提供超低噪声性能。 此外, 按照+6mV测试JFET之间的匹配, 可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR性能。 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管, 无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。 可承受40V的高漏源电压, 以及低至-40V的栅源电压和栅漏电压。 该器件额定工作温度范围为-40℃至 + 125℃。
品牌
TI
封装
WSON-8-EP(2x2)
库存
45
货期
现货
JFE2140DSGR参数
| 封装 | WSON-8-EP(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 结型场效应管(JFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
JFE2140DSGR概述
构建于现代高性能模拟双极工艺, 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能, 静态电流可由用户设置, 范围为50μA至20mA。 当偏置电流为5mA时, 该器件会产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声, 从而以极高的输入阻抗(>1TΩ)提供超低噪声性能。 此外, 按照+6mV测试JFET之间的匹配, 可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR性能。 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管, 无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。 可承受40V的高漏源电压, 以及低至-40V的栅源电压和栅漏电压。 该器件额定工作温度范围为-40℃至 + 125℃。
JFE2140DSGR特性
暂无产品特性。
JFE2140DSGR应用领域
暂无应用领域。
