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JFE2140DSGR
IC

WSON-8-EP(2x2)

可供量大可议

JFE2140DSGR

构建于现代高性能模拟双极工艺, 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能, 静态电流可由用户设置, 范围为50μA至20mA。 当偏置电流为5mA时, 该器件会产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声, 从而以极高的输入阻抗(>1TΩ)提供超低噪声性能。 此外, 按照+6mV测试JFET之间的匹配, 可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR性能。 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管, 无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。 可承受40V的高漏源电压, 以及低至-40V的栅源电压和栅漏电压。 该器件额定工作温度范围为-40℃至 + 125℃。

品牌

TI

封装

WSON-8-EP(2x2)

库存

45

货期

现货

JFE2140DSGR参数

封装WSON-8-EP(2x2)
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类结型场效应管(JFET)
库存45

JFE2140DSGR概述

构建于现代高性能模拟双极工艺, 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能, 静态电流可由用户设置, 范围为50μA至20mA。 当偏置电流为5mA时, 该器件会产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声, 从而以极高的输入阻抗(>1TΩ)提供超低噪声性能。 此外, 按照+6mV测试JFET之间的匹配, 可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR性能。 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管, 无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。 可承受40V的高漏源电压, 以及低至-40V的栅源电压和栅漏电压。 该器件额定工作温度范围为-40℃至 + 125℃。

JFE2140DSGR特性

暂无产品特性。

JFE2140DSGR应用领域

暂无应用领域。

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