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JCS630VA-VB
IC

TO-251

可供量大可议

JCS630VA-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench技术, 具有高性能和可靠性。 适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。 TO251; N—Channel沟道, 200V; 8A; RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-251

库存

1

货期

现货

JCS630VA-VB参数

封装TO-251
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

JCS630VA-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench技术, 具有高性能和可靠性。 适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。 TO251; N—Channel沟道, 200V; 8A; RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

JCS630VA-VB特性

暂无产品特性。

JCS630VA-VB应用领域

暂无应用领域。

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