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J113
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IC

TO-92-3L

J113

结型场效应管(JFET) J113

品牌

ON

封装

TO-92-3L

交期

现货

批次

25+

J113参数

封装TO-92-3L
品牌ON(安森美)
批次25+
数量1个N沟道
栅源击穿电压(Vgss)35V
导通电阻(RDS(on))100Ω
FET类型N沟道
分类结型场效应管(JFET)
库存4
MOQ / SPQ1 / 1
栅源截止电压(VGS(off))500mV; 3V
耗散功率(Pd)625mW
工作温度-55℃~+150℃

J113概述

结型场效应管(JFET) J113

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