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J113
IC

TO-92-3L

可供量大可议

J113

特性:专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器设计。 源极和漏极可互换。 这些是无铅器件

Brand

onsemi

Package

TO-92-3L

Stock

15

货期

现货

J113Parameters

封装TO-92-3L
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 5
栅源截止电压(VGS(off))500mV; 3V
耗散功率(Pd)625mW
工作温度-55℃~+150℃
分类结型场效应管(JFET)
库存15
数量1个N沟道
栅源击穿电压(Vgss)35V
导通电阻(RDS(on))100Ω
FET类型N沟道

J113概述

结型场效应管(JFET) J113

J113特性

暂无产品特性。

J113应用领域

暂无应用领域。

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