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IXYX120N120C3-HXY
IC

TO-247P

可供量大可议

IXYX120N120C3-HXY

该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V, 有助于降低导通损耗。 内部续流二极管支持140A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.01V, 表现出良好的反向恢复特性。 该模块适用于需要高效能开关与耐高压能力的电力电子系统, 如电源变换器、储能设备及智能电网相关装置中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247P

库存

18

货期

现货

IXYX120N120C3-HXY参数

封装TO-247P
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存18

IXYX120N120C3-HXY概述

该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V, 有助于降低导通损耗。 内部续流二极管支持140A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.01V, 表现出良好的反向恢复特性。 该模块适用于需要高效能开关与耐高压能力的电力电子系统, 如电源变换器、储能设备及智能电网相关装置中。

IXYX120N120C3-HXY特性

暂无产品特性。

IXYX120N120C3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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