IXYX120N120C3-HXY
IC
TO-247P
可供量大可议
IXYX120N120C3-HXY
该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V, 有助于降低导通损耗。 内部续流二极管支持140A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.01V, 表现出良好的反向恢复特性。 该模块适用于需要高效能开关与耐高压能力的电力电子系统, 如电源变换器、储能设备及智能电网相关装置中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247P
库存
18
货期
现货
IXYX120N120C3-HXY参数
| 封装 | TO-247P |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 18 |
IXYX120N120C3-HXY概述
该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V, 有助于降低导通损耗。 内部续流二极管支持140A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.01V, 表现出良好的反向恢复特性。 该模块适用于需要高效能开关与耐高压能力的电力电子系统, 如电源变换器、储能设备及智能电网相关装置中。
IXYX120N120C3-HXY特性
暂无产品特性。
IXYX120N120C3-HXY应用领域
暂无应用领域。
