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IXYR50N120C3D1-HXY
IC

TO-247P

可供量大可议

IXYR50N120C3D1-HXY

该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V, 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.7V, 提升了整体能效表现。 该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统, 如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247P

库存

25

货期

现货

IXYR50N120C3D1-HXY参数

封装TO-247P
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存25

IXYR50N120C3D1-HXY概述

该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V, 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.7V, 提升了整体能效表现。 该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统, 如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。

IXYR50N120C3D1-HXY特性

暂无产品特性。

IXYR50N120C3D1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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