IXYR50N120C3D1-HXY
IC
TO-247P
可供量大可议
IXYR50N120C3D1-HXY
该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V, 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.7V, 提升了整体能效表现。 该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统, 如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247P
库存
25
货期
现货
IXYR50N120C3D1-HXY参数
| 封装 | TO-247P |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
IXYR50N120C3D1-HXY概述
该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V, 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.7V, 提升了整体能效表现。 该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统, 如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。
IXYR50N120C3D1-HXY特性
暂无产品特性。
IXYR50N120C3D1-HXY应用领域
暂无应用领域。
