IXYH75N65C3H1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IXYH75N65C3H1-HXY
该IGBT管/模块具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 可支持中高功率电力转换需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率。 内置二极管可承受50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.65V, 具备良好的电流承载与恢复特性。 适用于各类高效能电源设备、储能系统及智能电网相关装置, 满足对稳定性与效率的高标准要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
25
货期
现货
IXYH75N65C3H1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
IXYH75N65C3H1-HXY概述
该IGBT管/模块具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 可支持中高功率电力转换需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率。 内置二极管可承受50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.65V, 具备良好的电流承载与恢复特性。 适用于各类高效能电源设备、储能系统及智能电网相关装置, 满足对稳定性与效率的高标准要求。
IXYH75N65C3H1-HXY特性
暂无产品特性。
IXYH75N65C3H1-HXY应用领域
暂无应用领域。
