库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
IXYH75N65C3H1-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

IXYH75N65C3H1-HXY

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 可支持中高功率电力转换需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率。 内置二极管可承受50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.65V, 具备良好的电流承载与恢复特性。 适用于各类高效能电源设备、储能系统及智能电网相关装置, 满足对稳定性与效率的高标准要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

25

货期

现货

IXYH75N65C3H1-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存25

IXYH75N65C3H1-HXY概述

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 可支持中高功率电力转换需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率。 内置二极管可承受50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.65V, 具备良好的电流承载与恢复特性。 适用于各类高效能电源设备、储能系统及智能电网相关装置, 满足对稳定性与效率的高标准要求。

IXYH75N65C3H1-HXY特性

暂无产品特性。

IXYH75N65C3H1-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件