IXXX200N65B4-HXY
IC
TO-247P
可供量大可议
IXXX200N65B4-HXY
本款IGBT管/模块具备160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces）， 适用于较高功率场景。 其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V， 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持160A的正向电流（IF）， 正向压降（Vf）为1.33V， 性能稳定， 适合多种高要求电路设计应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247P
库存
15
货期
现货
IXXX200N65B4-HXY参数
| 封装 | TO-247P |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 15 |
IXXX200N65B4-HXY概述
本款IGBT管/模块具备160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces）， 适用于较高功率场景。 其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V， 有助于降低导通损耗。 内置二极管可支持160A的正向电流（IF）， 正向压降（Vf）为1.33V， 性能稳定， 适合多种高要求电路设计应用。
IXXX200N65B4-HXY特性
暂无产品特性。
IXXX200N65B4-HXY应用领域
暂无应用领域。