IXXH60N65C4-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IXXH60N65C4-HXY
该IGBT模块具有60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适用于中高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 能够在导通状态下保持较低的功耗。 模块内置二极管, 可承受50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)同样为1.65V, 具备良好的反向恢复性能。 该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理等领域, 提供稳定可靠的开关表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
34
货期
现货
IXXH60N65C4-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 34 |
IXXH60N65C4-HXY概述
该IGBT模块具有60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适用于中高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 能够在导通状态下保持较低的功耗。 模块内置二极管, 可承受50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)同样为1.65V, 具备良好的反向恢复性能。 该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理等领域, 提供稳定可靠的开关表现。
IXXH60N65C4-HXY特性
暂无产品特性。
IXXH60N65C4-HXY应用领域
暂无应用领域。
