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IXXH60N65C4-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

IXXH60N65C4-HXY

该IGBT模块具有60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适用于中高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 能够在导通状态下保持较低的功耗。 模块内置二极管, 可承受50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)同样为1.65V, 具备良好的反向恢复性能。 该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理等领域, 提供稳定可靠的开关表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

34

货期

现货

IXXH60N65C4-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存34

IXXH60N65C4-HXY概述

该IGBT模块具有60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适用于中高功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 能够在导通状态下保持较低的功耗。 模块内置二极管, 可承受50A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)同样为1.65V, 具备良好的反向恢复性能。 该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理等领域, 提供稳定可靠的开关表现。

IXXH60N65C4-HXY特性

暂无产品特性。

IXXH60N65C4-HXY应用领域

暂无应用领域。

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