IXTY2N65X2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IXTY2N65X2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为4.2A， 漏源击穿电压达650V， 导通电阻为1555mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具备较高的耐压能力和良好的高温工作特性， 适用于中低功率的高频开关应用。 其结构支持在高电压环境下稳定运行， 同时保持较低的开关损耗， 适合对体积和效率有一定要求的电源转换系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
15
货期
现货
IXTY2N65X2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
IXTY2N65X2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为4.2A， 漏源击穿电压达650V， 导通电阻为1555mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具备较高的耐压能力和良好的高温工作特性， 适用于中低功率的高频开关应用。 其结构支持在高电压环境下稳定运行， 同时保持较低的开关损耗， 适合对体积和效率有一定要求的电源转换系统。
IXTY2N65X2-HXY特性
暂无产品特性。
IXTY2N65X2-HXY应用领域
暂无应用领域。