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IXTR170P10P
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IC

IXTR170P10P

IXTR170P10P

品牌

Littelfuse/IXYS

封装

交期

现货

批次

—

IXTR170P10P参数

分类场效应管(MOSFET)
库存3
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))15.4mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
反向传输电容(Crss)930pF
商品名称IXTR170P10P
包装方式管装
商品类型场效应管(MOSFET)
品牌Littelfuse/IXYS
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)100V
耗散功率(Pd)312W
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
商品型号IXTR170P10P
单位个
商品重量0.010633333

IXTR170P10P概述

这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低, 同时保持卓越的开关性能, 非常适合高效电源管理应用。

IXTR170P10P特性

  • 直接覆铜陶瓷基板(DCB)上的硅芯片
  • UL认证封装
  • 隔离安装面
  • 2500V电气隔离
  • 动态dv/dt额定值
  • 高电流处理能力
  • 雪崩额定
  • 快速本征二极管
  • 耐用的PolarTM工艺
  • 低栅极电荷QG
  • 低漏极到散热片电容
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

IXTR170P10P应用领域

  • 高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器

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