IXTQ30N60P-VB
IC
TO-3P
可供量大可议
IXTQ30N60P-VB
TO3P； N—Channel沟道, 600V； 20A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-3P
库存
5
货期
现货
IXTQ30N60P-VB参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IXTQ30N60P-VB概述
TO3P； N—Channel沟道, 600V； 20A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
IXTQ30N60P-VB特性
暂无产品特性。
IXTQ30N60P-VB应用领域
暂无应用领域。