IXTP5N50P-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备500V漏源击穿电压， 连续漏极电流为4.5A， 导通电阻典型值1200mΩ， 栅源耐压30V。 其高耐压特性与中等电流规格， 使其适用于离线式开关电源、适配器及照明驱动等高压开关场景。 器件设计侧重于在高压电路中实现稳定的电压阻断与信号切换， 满足各类电源转换系统对基础开关元件的参数需求。