IXTP36N30P-JSM
IC
TO-220-3
可供量大可议
IXTP36N30P-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：36A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：92mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-220-3
库存
87
货期
现货
IXTP36N30P-JSM参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 87 |
IXTP36N30P-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：36A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：92mR @20A, 10V
IXTP36N30P-JSM特性
暂无产品特性。
IXTP36N30P-JSM应用领域
暂无应用领域。