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IXTN210P10T
IC

SOT-227

可供量大可议

IXTN210P10T

P沟道增强型雪崩额定功率MOSFET, 采用国际标准封装, 具备低本征栅极电阻、快速本征整流器等特性

品牌

Littelfuse/IXYS

封装

SOT-227

库存

3

货期

现货

IXTN210P10T参数

封装SOT-227
品牌Littelfuse/IXYS
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

IXTN210P10T概述

P沟道增强型雪崩额定功率MOSFET, 采用国际标准封装, 具备低本征栅极电阻、快速本征整流器等特性

IXTN210P10T特性

暂无产品特性。

IXTN210P10T应用领域

暂无应用领域。

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