IXTK110N20L2-JSM
IC
TO-264
可供量大可议
IXTK110N20L2-JSM
N沟道 耐压:200V 电流:110A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):900W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):20mΩ@10V, 60A
品牌
JSMSEMI
封装
TO-264
库存
238
货期
现货
IXTK110N20L2-JSM参数
| 封装 | TO-264 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 238 |
IXTK110N20L2-JSM概述
N沟道 耐压:200V 电流:110A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):900W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):20mΩ@10V, 60A
IXTK110N20L2-JSM特性
暂无产品特性。
IXTK110N20L2-JSM应用领域
暂无应用领域。