IXTJ4N150-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 适用于高耐压、中功率开关应用。 其主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A， 漏源击穿电压VDSS高达1500V， 导通电阻RDON为1000mΩ， 栅源电压VGS为±20V， 具备良好的开关特性和热稳定性。 该器件可广泛应用于电源转换器、适配器、LED照明驱动、家用电器控制电路等场景， 满足高频开关和高效能电力传输的设计需求。