IXTH4N150-JSM
IC
TO-247S
可供量大可议
IXTH4N150-JSM
超高压MOS 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1500V 连续漏极电流(Id)：4A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：3.8Ω @3A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-247S
库存
240
货期
现货
IXTH4N150-JSM参数
| 封装 | TO-247S |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 商品型号 | IXTH4N150-JSM |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 240 |
| 商品名称 | IXTH4N150 |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
IXTH4N150-JSM概述
超高压MOS 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1500V 连续漏极电流(Id)：4A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：3.8Ω @3A, 10V
IXTH4N150-JSM特性
暂无产品特性。
IXTH4N150-JSM应用领域
暂无应用领域。