IXTH4N150-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源击穿电压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID）， 适用于中高电压功率控制应用。 导通电阻为1000mΩ（RDON）， 在保证良好导电性能的同时降低了功耗， 栅源电压（VGS）最大支持20V， 增强了器件的控制精度与稳定性。 该器件适合用于电源转换、LED驱动、电机控制等电子电路中， 具备良好的热稳定性和可靠性， 可满足多种高性能功率电路的设计需求。