IXTH1N200P3HV
IC
TO-247HV
可供量大可议
IXTH1N200P3HV
IXTH1N200P3HV
品牌
Littelfuse
封装
TO-247HV
库存
30
货期
现货
IXTH1N200P3HV参数
| 封装 | TO-247HV |
|---|---|
| 品牌 | Littelfuse(美国力特) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 商品名称 | IXTH1N200P3HV |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
| 漏源电压(Vdss) | 2kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 商品型号 | IXTH1N200P3HV |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.007562 |
IXTH1N200P3HV概述
全新的MDmesh M6技术整合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。 它将出色的单位面积导通电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合， 同时为用户带来便捷体验， 以实现终端应用的最高效率。
IXTH1N200P3HV特性
- 高阻断电压
- 高压封装
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
IXTH1N200P3HV应用领域
- 高压电源
- 电容放电应用
- 脉冲电路
- 激光和X射线发生系统