IXTH120N20X4-VB
IC
TO-247
可供量大可议
IXTH120N20X4-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO247； N—Channel沟道； 200V； 120A； RDS(ON)=8.5(mΩ)； VGS=±20V； Vth=4V； 采用SGT技术
品牌
VBsemi
封装
TO-247
库存
2
货期
现货
IXTH120N20X4-VB参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IXTH120N20X4-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO247； N—Channel沟道； 200V； 120A； RDS(ON)=8.5(mΩ)； VGS=±20V； Vth=4V； 采用SGT技术
IXTH120N20X4-VB特性
暂无产品特性。
IXTH120N20X4-VB应用领域
暂无应用领域。