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IXTA1N200P3HV
IC

TO-263AA

可供量大可议

IXTA1N200P3HV

特性:高阻断电压。 高压封装。 易于安装。 节省空间。 高功率密度。 应用:高压电源。 电容放电应用

品牌

Littelfuse/IXYS

封装

TO-263AA

库存

10

货期

现货

IXTA1N200P3HV参数

封装TO-263AA
品牌Littelfuse/IXYS
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

IXTA1N200P3HV概述

特性:高阻断电压。 高压封装。 易于安装。 节省空间。 高功率密度。 应用:高压电源。 电容放电应用

IXTA1N200P3HV特性

暂无产品特性。

IXTA1N200P3HV应用领域

暂无应用领域。

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