IXSA110N65L2-7TR-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻为26mΩ， 栅源电压工作范围为-10V至+25V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高频开关应用中显著降低导通与开关损耗， 提升系统整体效率。 适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频电力转换设备等场景， 可在高电压、大电流条件下维持稳定运行。