IXFY8N65X2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IXFY8N65X2-HXY
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 额定漏极电流ID为9.3A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)为410mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具有较高的耐压能力和良好的开关性能， 适用于中低功率的高效电源转换场合。 其较宽的栅极驱动电压范围增强了与不同驱动电路的适配性， 而明确的电气参数有助于在紧凑型设计中实现稳定可靠的开关操作。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
IXFY8N65X2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
IXFY8N65X2-HXY概述
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 额定漏极电流ID为9.3A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)为410mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具有较高的耐压能力和良好的开关性能， 适用于中低功率的高效电源转换场合。 其较宽的栅极驱动电压范围增强了与不同驱动电路的适配性， 而明确的电气参数有助于在紧凑型设计中实现稳定可靠的开关操作。
IXFY8N65X2-HXY特性
暂无产品特性。
IXFY8N65X2-HXY应用领域
暂无应用领域。