IXFR90N30
IC
TO-247-3
可供量大可议
IXFR90N30
特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。 隔离安装表面。 2500V~电气隔离。 雪崩额定。 快速本征整流器。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 应用：DC-DC转换器。 电池充电器
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
TO-247-3
库存
10
货期
现货
IXFR90N30参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Littelfuse/IXYS |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IXFR90N30概述
特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。 隔离安装表面。 2500V~电气隔离。 雪崩额定。 快速本征整流器。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 应用：DC-DC转换器。 电池充电器
IXFR90N30特性
暂无产品特性。
IXFR90N30应用领域
暂无应用领域。