IXFQ28N60P3-VB
IC
TO-3P
可供量大可议
IXFQ28N60P3-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO3P； N—Channel沟道； 650V； 47A； RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用SJ_Multi-EPI技术
品牌
VBsemi
封装
TO-3P
库存
10
货期
现货
IXFQ28N60P3-VB参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IXFQ28N60P3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO3P； N—Channel沟道； 650V； 47A； RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用SJ_Multi-EPI技术
IXFQ28N60P3-VB特性
暂无产品特性。
IXFQ28N60P3-VB应用领域
暂无应用领域。