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IXFP36N20X3-JSM
IC

TO-220

可供量大可议

IXFP36N20X3-JSM

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):45A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):35mR @20A, 10V

品牌

JSMSEMI

封装

TO-220

库存

100

货期

现货

IXFP36N20X3-JSM参数

封装TO-220
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存100

IXFP36N20X3-JSM概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):45A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):35mR @20A, 10V

IXFP36N20X3-JSM特性

暂无产品特性。

IXFP36N20X3-JSM应用领域

暂无应用领域。

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