IXFP34N65X2M-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
IXFP34N65X2M-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高频特性和高温稳定性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中， 能够在严苛工作条件下保持较低的开关损耗与导通损耗， 提升整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
9
货期
现货
IXFP34N65X2M-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
IXFP34N65X2M-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高频特性和高温稳定性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中， 能够在严苛工作条件下保持较低的开关损耗与导通损耗， 提升整体能效表现。
IXFP34N65X2M-HXY特性
暂无产品特性。
IXFP34N65X2M-HXY应用领域
暂无应用领域。